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• fuente de alimentación estándar jedec 18us a menor que tcase 85 ° c, 3este sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro y requiere + 1,5vel spd está programado según el estándar jedec latencia mhz tiempo de 9-9-9 a 1este documento describe valueram 128m x 64-bit (1 gb) memoria ddrmhz cl9 sdram (memoria dram síncrona), basado en ocho 128m x 8-bit ddrmhz fbga componentes5v ± v • vddq = 1,5v ± v • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia programable de cas: • publicado cas • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): calibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz utilizando odt pin • período de actualización promedio 7
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9us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm) or mm)8us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 7kvr13n9s8/4 4gb 1rxm x 64-bit pc cl-pin dim features • jedec standard 15v (v ~v) power supply • vddq = 1
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