Cas_1703
Listado cas_1703
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Caroní (Bolivar)
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Libertador-Aragua (Aragua)
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Este documento describe valueram 128m x 64-bit (1 gb) memoria ddrmhz cl9 sdram (memoria dram síncrona), basado en ocho 128m x 8-bit ddrmhz fbga componentes• fuente de alimentación estándar jedec 1este sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro y requiere + 1,5vel spd está programado según el estándar jedec latencia mhz tiempo de 9-9-9 a 15v ± v • vddq = 1,5v ± v • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia programable de cas: • publicado cas • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): calibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz utilizando odt pin • período de actualización promedio 78us a menor que tcase 85 ° c, 3
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Para panasonic sony spp sanyo cas 120/cas 130/clt440/clt520/clt/clt
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) tiempo de comando (trfcmin) tiempo activo de fila (trasmin) 36ns (min9us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm) o mm) soy tienda on-line5v (v ~ v) fuente de alimentación • vddq = 18us a menor que tcase 85 ° c, 3stop solo oferte si esta 100% seguro realice todas sus preguntas evite calificaciones negativas puedo realizar entregas personales por previa cita deben llamar para acordar el día y la hora sin excepcion agencia de envio mrw y domesa días de envíos: martes, miercoles y jueves horario de atención lunes a viernes 9:00am a am y 2:00pm a 5:00pm formas de pagos transferencias o depositos banco venezuela mercado pago garantía: garantía 60 días) potencia máxima de operación tbd w * las especificaciones eléctricas y mecánicas jedec estándar 15v (v ~ v) • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia de cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 7) actualizar a active / refrescar 260ns (minmemoria ram 4gb kvr13n9s8 1rxm x 64-bit pc cl-pin dimm kingston para pc especificaciones: cl (idd) 9 ciclos tiempo de ciclo de fila (trcmin) ns (min
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9us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm), componente de un solo lado nuevas selladas en su blister metodos de pago transferencia deposito envios a nivel nacional y regional solo por domesa debera abonar 700bs por gastos de flete) ddr cl-pin dimm kit descripción: hyperx khxc9d3b1k2 / 8g es un kit de dos módulos de 512m x 64 bits (4 gb) ddr cl9 sdram (dram síncrona), 1rx8 módulos de memoria, basados en ocho componentes fbga de 512m x 8 bits por módulolos spd son programado a la latencia estándar jedec ddr a 1d página 1 presupuesto cl (idd) 9 ciclos tiempo de ciclo de fila (trcmin) 49) potencia de funcionamiento máxima w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55o c a +100o c * la potencia variará dependiendo de la sdram utilizadala capacidad total del kit es de 8 gblas especificaciones eléctricas y mecánicas de jedec son siguiente: document no5v (v ~ v) • vddq = 1) tiempo de comando (trfcmin) tiempo activo de fila (trasmin) 36ns (minse realizan entregas personales en el paraiso oferta limitada pregunte con confianza! haga todas las preguntas convenientes antes de comprar, su preguntas seran respondida con la mayor brevedad posible evite una mala calificacionmemoria kingston hyperx blu kit 8gb 2x4gb khxc9d3b1k2 / 8g 8gb (4gb 512m x 64-bit x 2 pc8us a menor que tcase 85 ° c, 3recuerde que de no depositar el monto del embalaje no le sera despachado el productocada dimm de 240 pines utiliza dedos de contacto de oro5v (v ~ v) • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia de cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o señora] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 7) actualizar a active / refrescar 260ns (mincaracteristicas • fuente de alimentación estándar jedec 1
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This sk hynix 512mb b ver8 interface posted cas programmable cas latency 3,4,5 ocd (off-chip driver impedance adjustment) and odt (on-die termination) fully differential clock operations (ck & /ck) programmable burst length 4 / 8 with both sequential and interleave mode auto refresh and self refresh supported refresh cycles / 64ms serial presence detect with eeprom ddr2 sdram package: 60ball(x8), 84ball(x16) fbga x mm form factor lead-free products are rohs compliantbased unbufferedddr2 so-dimm series provide a high performance 8 byte interface in mm width form factor of industry standardfeatures jedec standard double data rate2 synchronous drams (ddr2 sdrams) with 1it is suitable for easy interchange and additionddr2 sdramsin fine ball grid array(fbga) packages on a 200pin glass-epoxy substrate1v power supply all inputs and outputs are compatible with sstl_1memoria sodimm laptop hynix 1gb (2x512mb) ddr2 pcmhz hynix original (made in korea) 2- hynix 512mb ddr2 ram 2rx16 pcs- hymp564s64bp6-c4 ab x 2=(1gb) grade a, tested 100% working se atiende cualquier pregunta o duda antes de ofertar, se envia preferiblemente por tealca, formas de pago: * deposito bancario * transferencia bancaria por internet (desde cualquier banco a mi cuenta banesco o en el bnc) hymp564s64bp6-c4 ab this sk hynix unbuffered slim outline dual in-line memory module(dimm) series consists of 512mb b ver
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It is compatible with so dimm 200-pin slots and offers a 667 mhz clock frequency*kingston kvr667d2s5/2g 2gb pc ddr so-dimm 200-pin 1furthermore, this kingston pc ddr memory ensures a stable performance, facilitating an optimal computing experiencethis 1-module ram operates at a 5 cas latencyproduct identifiers brand kingston mpn kvr667d2s5/2g upc , , key features type ddr ram total capacity 2 gb modules quantity 1 bus clock 667 mhz form factor so dimm 200-pin pc rating pc (ddr) cas latency cl5 ecc / registered non-ecc unbuffered8v memory (ram)* detailed item information description the kingston ddr ram has a capacity of 2 gb
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Kvr13lr9s8/4 4gb 1rxm x 72-bit pc3l- cl9 registered w/parity 240-pin dimm features • jedec standard 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm), double sided component no oferte si no esta seguro memoria totalmente nueva!!!! haga todas las preguntas necesarias!!!!8us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~ v) power supply • vddq = 15v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • on-dimm thermal sensor (grade b) • average refresh period 7
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5v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 75v (v ~v) power supply • vddq = 1kvr13n9s8/4 4gb 1rxm x 64-bit pc cl-pin dim features • jedec standard 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm) or mm)8us at lower than tcase 85°c, 3
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) ddr cl-pin dimm kit descripción: hyperx khxc9d3b1k2 / 8g es un kit de dos módulos de 512m x 64 bits (4 gb) ddr cl9 sdram (dram síncrona), 1rx8 módulos de memoria, basados en ocho componentes fbga de 512m x 8 bits por módulolos spd son programado a la latencia estándar jedec ddr a 1d página 1 presupuesto cl (idd) 9 ciclos tiempo de ciclo de fila (trcmin) 49) potencia de funcionamiento máxima w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55o c a +100o c * la potencia variará dependiendo de la sdram utilizadala capacidad total del kit es de 8 gblas especificaciones eléctricas y mecánicas de jedec son siguiente: document no5v (v ~ v) • vddq = 1 se realizan entregas personales en el paraiso oferta limitada pregunte con confianza! haga todas las preguntas convenientes antes de comprar, su preguntas seran respondida con la mayor brevedad posible evite una mala calificacion) tiempo de comando (trfcmin) tiempo activo de fila (trasmin) 36ns (minmemoria kingston hyperx blu kit 8gb 2x4gb khxc9d3b1k2 / 8g 8gb (4gb 512m x 64-bit x 2 pc8us a menor que tcase 85 ° c, 3recuerde que de no depositar el monto del embalaje no le sera despachado el productocada dimm de 240 pines utiliza dedos de contacto de oro5v (v ~ v) • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia de cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o señora] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 79us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm), componente de un solo lado nuevas selladas en su blister metodos de pago transferencia deposito envios a nivel nacional y regional solo por domesa debera abonar bs por gastos de embalaje) actualizar a active / refrescar 260ns (mincaracteristicas • fuente de alimentación estándar jedec 1
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9us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm), double sided component no oferte si no esta seguro memoria totalmente nueva!!!! haga todas las preguntas necesarias!!!!5v (v ~ v) power supply • vddq = 18us at lower than tcase 85°c, 3modelo: kvr13lr9s8/4 4gb 1rxm x 72-bit pc3l- cl9 registered w/parity 240-pin dimm features • jedec standard 15v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • on-dimm thermal sensor (grade b) • average refresh period 7
