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Información sobre el vendedor
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Características del producto
Capacidad total: 4 GB
Velocidad: 1600 MHz
Tecnología: DDR3 SDRAM
Es gamer: Sí
Aplicación: Notebooks
Formato: SODIMM
Características generales
Marca | Samsung |
|---|---|
Línea | CL 11 |
Modelo | DRAM |
Módulos de memoria RAM | 1 x 4 GB |
Capacidad total | 4 GB |
Compatibilidad
Aplicación | Notebooks |
|---|
Especificaciones
Tecnología de la memoria RAM | DDR3 SDRAM |
|---|---|
Formato de la memoria RAM | SODIMM |
Velocidad de la memoria RAM | 1600 MHz |
Es gamer | Sí |
Otros
Latencia CAS | 11 |
|---|---|
Voltaje de alimentación | 1.35V |
Descripción
**** Ref# 50 ****
*** CERTIFICADAS - ORIGINAL - LENOVO - DELL - HP ***
Memoria Samsung 4GB Pc3-12800s DRR3 1600MHz SO-DIMM, CL11, 1.35V. Laptop
GENERAL
• Memory Specification Compliance: PC3L-12800
• Memory Speed:1600 MHz
• Data Integrity Check: non-ECC
• Upgrade Type: generic
• Manufacturer: Samsung
Technical Data: M471B5173EB0-YK0
MEMORY
• Form Factor: SO-DIMM 204-pin
• Latency Timings: CL11 (11-11-11)
• Module Height (inch): 1.18
• Data Integrity Check: Non-ECC
• Chips Organization: 512 x 8
RAM
• Type: DRAM
• Form Factor: SO-DIMM 204-pin
• Module Height (inch): 1.18
• Technology: DDR3L SDRAM
• Storage Capacity: 4 GB
• Registered or Buffered: unbuffered
• Data Integrity Check: non-ECC
• Module Configuration: 512 x 64
• Chips Organization: 512 x 8
• Memory Speed: 1600 MHz
• Memory Specification Compliance: PC3L-12800
• Supply Voltage: 1.35 / 1.5 V
• CAS Latency: CL11
• Latency Timings: 11-11-11
• RAM Features: Low Voltage, On-Die Termination (ODT), Serial Presence Detect (SPD), eight banks, single rank
• Upgrade Type: generic
Calificación 5 de 5
Excelente producto, 100% recomendado.