8us

Listado 8us

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  • 8us a menor que tcase 85 ° c, 3los spd son programado a la latencia estándar jedec ddr a 1) ddr cl-pin dimm kit descripción: hyperx khxc9d3b1k2 / 8g es un kit de dos módulos de 512m x 64 bits (4 gb) ddr cl9 sdram (dram síncrona), 1rx8 módulos de memoria, basados en ocho componentes fbga de 512m x 8 bits por módulolas especificaciones eléctricas y mecánicas de jedec son siguiente: document no) actualizar a active / refrescar 260ns (minrecuerde que de no depositar el monto del embalaje no le sera despachado el producto9us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm), componente de un solo lado                                                      nuevas selladas en su blister metodos de pago transferencia deposito envios a nivel  nacional y regional solo por domesa debera abonar 700bs por gastos de fletese realizan entregas personales en el paraiso   oferta  limitada pregunte con confianza! haga todas las preguntas convenientes antes de comprar, su preguntas seran respondida con la mayor brevedad posible evite una mala calificacion) tiempo de comando (trfcmin) tiempo activo de fila (trasmin) 36ns (mincaracteristicas • fuente de alimentación estándar jedec 15v (v ~ v) • vddq = 1la capacidad total del kit es de 8 gbd página 1 presupuesto cl (idd) 9 ciclos tiempo de ciclo de fila (trcmin) 49memoria kingston hyperx blu  kit 8gb 2x4gb khxc9d3b1k2 / 8g 8gb (4gb 512m x 64-bit x 2 pccada dimm de 240 pines utiliza dedos de contacto de oro) potencia de funcionamiento máxima w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55o c a +100o c * la potencia variará dependiendo de la sdram utilizada5v (v ~ v) • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia de cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o señora] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 7

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  • 8us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • on-dimm thermal sensor (grade b) • average refresh period 75v (v ~ v) power supply • vddq = 1kvr13lr9s8/4 4gb 1rxm x 72-bit pc3l- cl9 registered w/parity 240-pin dimm features • jedec standard 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm), double sided component no oferte si no esta seguro memoria totalmente nueva!!!! haga todas las preguntas necesarias!!!!

  • 8us a menor que tcase 85 ° c, 3el spd está programado según el estándar jedec latencia mhz tiempo de 9-9-9 a 1este documento describe valueram 128m x 64-bit (1 gb) memoria ddrmhz cl9 sdram (memoria dram síncrona), basado en ocho 128m x 8-bit ddrmhz fbga componenteseste sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro y requiere + 1,5v• fuente de alimentación estándar jedec 15v ± v • vddq = 1,5v ± v • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia programable de cas: • publicado cas • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): calibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz utilizando odt pin • período de actualización promedio 7

  • 8us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~v) power supply • vddq = 1kvr13n9s8/4 4gb 1rxm x 64-bit pc cl-pin dim features • jedec standard 15v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 79us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm) or mm)

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