Cl 4
Listado cl 4
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5v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 75v (v ~v) power supply • vddq = 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm) or mm)8us at lower than tcase 85°c, 3kvr13n9s8/4 4gb 1rxm x 64-bit pc cl-pin dim features • jedec standard 1
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3 mm latencia cas: cl | c | cl densidad de dram: 512xx8 ancho de banda de transferencia de datos: mb / sec (pc mb / sec (pc mb / sec (pc) capacidad: 4 gb voltaje probadomemoria dimm ddr4 4 gb mhz team group / ted44gcbk dimensiones del producto: x 312v precio incluye iva
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Cagua (Aragua)
