Ddr3 sodimm pcmhz 204

Listado ddr3 sodimm pcmhz 204

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• Memoria Ram Ddr3 4gb Pcvspd3.6v

  

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• Memoria Ram Ddr3 8g Kingston Laptop Laptop

  

  Este sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto doradosmemoria ram ddr3 8g kingston laptop laptop 8gb pc cl11 3 meses garantía totalmente nueva descripción valueram's 1g x 64-bit (8gb) ddr3l- cl11 sdram (dram síncrona), 2rx8, baja voltaje, módulo de memoria, basado en dieciséis fbga de 512m x 8 bits componentesel eléctrico y las especificaciones mecánicas son las siguientes: caracteristicas • estándar jedec 1el spd está programado según el estándar jedec latencia ddr sincronización de a 18us a menos de tcase 85 ° c, 35v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia programable de cas: • latencia de aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 reloj • prebúsqueda de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección inicial "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir lectura o escritura sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando a12 • luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (auto): auto calibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%) • en la terminación del troquel utilizando un pin odt • periodo promedio de actualización 75v (v ~ v) fuente de alimentación • vddq = 1

• Memoria Ram Ddr3 8g Kingston Laptop Laptop

  

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• Kingston Ddr3 1gb mhz So-dimm Memory Ram

  

  Este sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro y requiere + 1,5v• fuente de alimentación estándar jedec 1el spd está programado según el estándar jedec latencia mhz tiempo de 9-9-9 a 15v ± v • vddq = 1,5v ± v • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia programable de cas: • publicado cas • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): calibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz utilizando odt pin • período de actualización promedio 78us a menor que tcase 85 ° c, 3este documento describe valueram 128m x 64-bit (1 gb) memoria ddrmhz cl9 sdram (memoria dram síncrona), basado en ocho 128m x 8-bit ddrmhz fbga componentes

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  Memoria a-tech 32gb kit (2 x 16 gb) dimm ddr3 ecc pcmhz compatible con servidores y pcs hp lenovo ibm 32gb kit (2 x 16 gb) dimm ddr3 ecc pcmhz

• Memoria Ram Ddr Mhz 2gb Pcmhz

  

  Memoria ram ddr3 2gb pcmhz nueva selladas

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