Fqp19n20

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  • fqp19n20 200v n-channel mosfet número de parte: fqp19n20 tipo de fet: mosfet polaridad de transistor: n especificaciones máximas disipación total del dispositivo (pd): 140 w tensión drenaje-fuente (vds): 200 v tensión compuerta-fuente (vgs): 30 v corriente continua de drenaje (id): 1915 ohm empaquetado / estuche: to2204 a temperatura operativa máxima (tj): 150 °c características eléctricas tensión umbral compuerta-fuente vgs(th): 5 v carga de compuerta (qg): 31 nc resistencia drenaje-fuente rds(on): 0

    Barquisimeto (Lara)

  • Fqp19nv n-channel mosfet número de parte: fqp19n20 tipo de fet: mosfet polaridad de transistor: n especificaciones máximas disipación total del dispositivo (pd): 140 w tensión drenaje-fuente (vds): 200 v tensión compuerta-fuente (vgs): 30 v corriente continua de drenaje (id): 1915 ohm empaquetado / estuche: to2204 a temperatura operativa máxima (tj): 150 °c características eléctricas tensión umbral compuerta-fuente vgs(th): 5 v carga de compuerta (qg): 31 nc resistencia drenaje-fuente rds(on): 0

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