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    ****ref# 50**** memoria hynix 4 gb pc ddr mhz non-ecc unbuffered cl-pin sodimm 118 • technology: ddr3l sdram • storage capacity: 4 gb • registered or buffered: unbuffered • data integrity check: non-ecc • module configuration: 512 x 64 • chips organization: 512 x 8 • memory speed: mhz • memory specification compliance: pc3l- • supply voltage: v • cas latency: cl11 • latency timings: • ram features: low voltage, on-die termination (odt), serial presence detect (spd), eight banks, single rank • upgrade type: generic35 v bajo voltaje single rank módulo de memoria general • memory specification compliance: pc3l- • memory speed: mhz • data integrity check: non-ecc • upgrade type: generic • manufacturer: samsung technical data: m471beb0-yk0 memory • form factor: so-dimm 204-pin • latency timings: cl) • module height (inch): 118 • data integrity check: non-ecc • chips organization: 512 x 8 ram • type: dram • form factor: so-dimm 204-pin • module height (inch): 1

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    18 • technology: ddr3l sdram • storage capacity: 4 gb • registered or buffered: unbuffered • data integrity check: non-ecc • module configuration: 512 x 64 • chips organization: 512 x 8 • memory speed: mhz • memory specification compliance: pc3l- • supply voltage: v • cas latency: cl11 • latency timings: • ram features: low voltage, on-die termination (odt), serial presence detect (spd), eight banks, single rank • upgrade type: generic18 • data integrity check: non-ecc • chips organization: 512 x 8 ram • type: dram • form factor: so-dimm 204-pin • module height (inch): 1****ref# 40**** memoria samsung 4gb pcs drrmhz so-dimm, clvlaptop general • memory specification compliance: pc3l- • memory speed: mhz • data integrity check: non-ecc • upgrade type: generic • manufacturer: samsung technical data: m471beb0-yk0 memory • form factor: so-dimm 204-pin • latency timings: cl) • module height (inch): 1

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