Gb pc sodimm
Listado gb pc sodimm
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*** ref# 90 *** memoria ram laptop 8 gb pc ddr mhz sodimm 12v - informacion del producto - 01ag702 substitute for 01fragagagfrfrag884 sm30m lenovo nuevo - specificaciones - tamaño: 8gb speed: mhz type: pc pins: 260 pines ecc / necc: necc voltage: 1configuración: 1rx8 registro: ddr4 - notas adicionales - rmsamb78haf- sm30g, ddr4 - compatibilidad - flex , flex xb), ideacentre 510s-23isu all-in-one, ideacentre ast (f0deus), ideacentre ast (f0dbus) ideacentre ish all-in-one (f0bf), ideapad ikb (80tv), ideapad ikb (80vc), legion yikbn (80wkcto1ww), legion yikb (80vr), legion yikba (80wy), miix abr tablet, miix ikb tablet, thinkpad p50, thinkpad penctr1ww), thinkpad j1), thinkpad per), thinkpad eh1), thinkpad akl), thinkpad t460p (20fx), thinkcentre m910t desktop (10mm), yoga fd), yoga ikb (80v5), yoga ikb (80v4), yoga ikb (80vus)
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***** descripcion del producto: memoria ram team group 2gb ddrmhz pc sodimm características marca: team elite línea: team group capacidad total:2 gb módulos de memoria:1 x 2 gb color: negro tecnología:ddr3 formato: dimm velocidad: mhz aplicación: computadoras de escritorio garantia: 12 meses ------------------------------------------------------------------------------------------- información de la compra: - emitimos factura -precio incluye iva - envío por la empresa de su preferencia cobro al destino - también puede retirar su producto en nuestras oficinas ubicadas en boleita sur - horario de atención: de 8:30 am a 5:00 pmestimado cliente, es importante aclarar sus dudas y disponibilidad del producto antes de ofertar• somos ** mercado lider *** en mercado libre desde el año • sin embargo nuestra reputación se vio afectada a causa de a compras que usuarios realizaron y no concretaron*****oferte con confianza
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****ref# 50**** memoria hynix 4 gb pc ddr mhz non-ecc unbuffered cl-pin sodimm 118 • technology: ddr3l sdram • storage capacity: 4 gb • registered or buffered: unbuffered • data integrity check: non-ecc • module configuration: 512 x 64 • chips organization: 512 x 8 • memory speed: mhz • memory specification compliance: pc3l- • supply voltage: v • cas latency: cl11 • latency timings: • ram features: low voltage, on-die termination (odt), serial presence detect (spd), eight banks, single rank • upgrade type: generic35 v bajo voltaje single rank módulo de memoria general • memory specification compliance: pc3l- • memory speed: mhz • data integrity check: non-ecc • upgrade type: generic • manufacturer: samsung technical data: m471beb0-yk0 memory • form factor: so-dimm 204-pin • latency timings: cl) • module height (inch): 118 • data integrity check: non-ecc • chips organization: 512 x 8 ram • type: dram • form factor: so-dimm 204-pin • module height (inch): 1
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Memoria nueva de paquete de 512 mb capacidad de almacenamiento: 512 gb tecnología - ddr2 sdram factor de forma - so-dimm 200pin tecnología - ddr2 sdram velocidad de memoria - 667mhz ddr / pc
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Kvr16lsgb 1rxm x 64-bit pc3l- cl-pin sodimm description this document describes valueram's 512m x 64-bit (4gb) ddr3l- cl11 sdram (synchronous dram), 1rx8, low voltage, memory module, based on eight 512m x 8-bit fbga componentsthe spd is programmed to jedec standard latency ddr timing of at 1
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