Mosfet md transistores
Listado mosfet md transistores
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Las piezas y partes electrónicas son originales fabricadas en usa, damos certificación de fabrica de acuerdo al numero de lote, no vendemos mosfets y transistores reconstruidos (refurbished) en china, tampoco vendemos semiconductores usadosson susceptibles de ser dañados por manejo indebido al momento de la instalación, no podemos garantizar los mismosvrde de la garantia: por cuanto los transistores, mosfet's, diodos, etc
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Sucre-Sucre (Sucre)
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Libertador-Aragua (Aragua)
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Girardot-Aragua (Aragua)
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1) frontal pioneer mosfet 50wx4 deh- mp super tuner iii 2) frontal pioneer mosfet 50wx4 deh-pmp super tuner iii
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Cuenta con 2 días hábiles para concretar la compra de los contrario se cerrara la venta y será calificado neutro o negativo según sea el caso18ohm * potencia de disipación:125w * transistor case style:to-220ab * svhc:no svhc * tipo de caja:to-220ab * cont current id:18a * junction to case thermal resistance a:1?c/w * power dissipation pd:125w * pulse current idm:72a * tipo de terminación:agujero pasante * tipo de transistor:mosfet * typ voltage vds:200v * typ voltage vgs th:4v * voltage vgs rds on measurement:10v ***su compra es un compromiso para nosotros* mosfet, n, 200v, 18a, to-220 * polaridad del transistor:n * max voltage vds:200v * resistencia activada:0la mercancía viaja a riesgo y cuenta del cliente sin embargo realizamos todas las gestiones necesarias para solventar cualquier situación con la empresa de encomiendas que usted haya seleccionado***enviamos por la empresa de encomiendas de su preferencia y debe notificarnos si desea que su envió viaje asegurado para que sea reembolsado el monto de la compra o el monto asegurado en caso de algún siniestro
Guacara (Carabobo)
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Fqp19nv n-channel mosfet número de parte: fqp19n20 tipo de fet: mosfet polaridad de transistor: n especificaciones máximas disipación total del dispositivo (pd): 140 w tensión drenaje-fuente (vds): 200 v tensión compuerta-fuente (vgs): 30 v corriente continua de drenaje (id): 1915 ohm empaquetado / estuche: to2204 a temperatura operativa máxima (tj): 150 °c características eléctricas tensión umbral compuerta-fuente vgs(th): 5 v carga de compuerta (qg): 31 nc resistencia drenaje-fuente rds(on): 0
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Fqp19n20 200v n-channel mosfet número de parte: fqp19n20 tipo de fet: mosfet polaridad de transistor: n especificaciones máximas disipación total del dispositivo (pd): 140 w tensión drenaje-fuente (vds): 200 v tensión compuerta-fuente (vgs): 30 v corriente continua de drenaje (id): 1915 ohm empaquetado / estuche: to2204 a temperatura operativa máxima (tj): 150 °c características eléctricas tensión umbral compuerta-fuente vgs(th): 5 v carga de compuerta (qg): 31 nc resistencia drenaje-fuente rds(on): 0
Barquisimeto (Lara)
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