Original power transistor

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  • Especificaciones técnicas: transistor rf de potencia diseñado para aplicaciones comerciales banda ancha con frecuencias hta 520 mhz5v potencia de salida: 3 vatios ganancia de potencia 15 db eficiencia 65% capaz de maneja 20:1 vswr, @ 15usado en equipos desde 7

  • transistor original c transistor de potencia de conmutación serie fs 2sc (tp8v40fs) 8a npn dimensiones del esquema caja: ito-220 unidad: mm calificaciones • Å“absoluta máximas prestaciones elemento símbolo condiciones tasas unidad temperatura de almacenamiento tstg - • ž temperatura de conexión ° tj 150 • ž colector a la tensión de base v 500 v colector cbo a la tensión del emisor v 400 v emisor a la tensión base v 7 v corriente del colector ebo dc i 8 corriente del colector de corriente pico i 16 cp corriente de base dc i 3 ab corriente de base pico i 6 bp disipación total del transistor p tc = wt resistencia dieléctrica vdis terminales al caso, ac 12 minuto kv par de apriete tor: 0,3 n Â¥ m) • características eléctricas (tc = 25 • ž) elemento símbolo condiciones clasificaciones unidad colector a emisor sostenible i = 0,1 a tensión v (sus) c min 400 v ceo colector corriente de corte a la tensión nominal i max 0,1 m a cbo i máximo 01 ceo emisor corriente de corte i a la tensión nominal máx78 • ž / w frecuencia de transición ft v = 10v, = 08ai tipo 13 mhz ce c tiempo de activación t i = 4a máx1 l bb2 copyright y copia, shindengen electric mfgltd 2sc hfe - i c vce = 2v3 c almacenamiento tiempo = 06ai ts i máximo 13 Đs b1 b2 tiempo de caída tf r = v v max 05 vb be resistencia térmica ľjc unión a caja max 20,1 ma ebo cc ganancia de corriente h = 2v, = i 4a ce c fe v h v = 2v, = i 1ma min 10 fel ce c colector a emisor saturación v (sat) i = 4a voltaje máximo 1,0 vc ce base a emisor saturación v (sat) voltaje i = 0

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