Pcu mhz cache latency cl11 voltage15v buffering
Listado pcu mhz cache latency cl11 voltage15v buffering
-
Speed: pcu mhz cache latency: cl11 voltage:1buffering/ecc:non-ecc, unbuffered packing list: 4gb ddr3 2rx8 pcu mhz 240pin dimm desktop memory x 1 piece4gb ddr 3 memoria ram ddr3 4gb ramaxel pcu rmred58e9w- ramaxel 4gb pc ddr3 ram memoria dimm ***como nueva*** 100% new chipscapacity: 4gb type:ddrpin desktop memorytested works perfectly before shippinghigh quality guarantee
-
Speed: pcu mhz cache latency: cl11 voltage:1se venden excelentes memorias ram ddr3 4gb mhz marca ramaxel como nuevas, con muy poco tiempo de uso! capacity: 4gb type:ddrpin desktop memorycon la compra de 2 en adelante el envìo asegurado sale gratisbuffering/ecc:non-ecc, unbuffered
-
Speed: pcu mhz cache latency: cl11 voltage:1se venden excelentes memorias ram ddr3 4gb mhz marca ramaxel como nuevas, con muy poco tiempo de usopromoción combo de procesador i + memoria ddrmhz de 4gb + memoria ddr3 de 2gb + disco duro de 1tb western digital= 100trmpscapacity: 4gb type:ddrpin desktop memorybuffering/ecc:non-ecc, unbuffered
-
Speed: pcu mhz cache latency: cl11 voltage:1buffering/ecc:non-ecc, unbufferedcapacity: 4gb type:ddrpin desktop memory
-
26 ghz, mhz, cache 3mb para laptop de varios modelosprocesador intel core im 2somos tienda físicatenemos servicio técnico especializado
-
****ref# 50**** memoria hynix 4 gb pc ddr mhz non-ecc unbuffered cl-pin sodimm 118 • technology: ddr3l sdram • storage capacity: 4 gb • registered or buffered: unbuffered • data integrity check: non-ecc • module configuration: 512 x 64 • chips organization: 512 x 8 • memory speed: mhz • memory specification compliance: pc3l- • supply voltage: v • cas latency: cl11 • latency timings: • ram features: low voltage, on-die termination (odt), serial presence detect (spd), eight banks, single rank • upgrade type: generic35 v bajo voltaje single rank módulo de memoria general • memory specification compliance: pc3l- • memory speed: mhz • data integrity check: non-ecc • upgrade type: generic • manufacturer: samsung technical data: m471beb0-yk0 memory • form factor: so-dimm 204-pin • latency timings: cl) • module height (inch): 118 • data integrity check: non-ecc • chips organization: 512 x 8 ram • type: dram • form factor: so-dimm 204-pin • module height (inch): 1
-
5 speed rating: pcmhz) spd speed: mhz spd latency: tested speed: mhz tested latencyen su blister ripjaws x azules para mayor overlocking, alcanzan hasta de bus con overlock, perfectas para z97warranty: lifetime size: 8gb (2 x 4gb) performance profile: xmp profile #1 fan included: no heat spreader: blue aluminum memory configuration: dual channel memory type: ddr3 package - memory pin: 240 package - memory format: dimm tested voltage: 165 spd voltage: 1
-
Memoria ram sodimm ddr3l 8gb mhz kingston / kvr16ls11/8 tipo de memoria interna: ddr3l memoria interna: 8gb diseño de memoria: 1 x 8 gb velocidad de memoria del reloj: mhz latencia cas: cl11 factor de forma: 204-pin so-dimm voltaje: v
-
Nuevas, selladas - 8gb mhz ddr3 non-ecc cl11 dimm, 240-pin, 1* de ofertar y no realizar el pago en un maximo de 3 dias, sera calificado de forma negativapor favor, comprobar la compatibilidad con kingston antes comprar - por favor, compruebe siempre la compatibilidad con el fabricante antes de comprar este módulo dram terminos y condiciones de venta: * envios por zoom asegurado* no se aceptan devoluciones* de no estar de acuerdo con alguna de las politicas antes mecionadas por favor no oferte* de no estar seguro de concretar la operacion por favor no oferte5v - las memorias kingston están testeadas al 100% - han sido diseñadas y comprobadas con arreglo a las normas jedec, y le permitirá comprar memoria de acuerdo con las especificaciones
-
Memoria ram para laptop 4gb mhz ddr3l non-ecc cl11 sodimm 1totalmente nuevas selladas en su blister kingstonentrego personalmente en maracaibo y envio a todo el paispuede ver mis calificacionesrealice todas sus preguntas antes de ofertar
-
8gb mhz ddr3 non-ecc cl11 dimm, 240-pin, 1por favor, comprobar la compatibilidad con kingston antes comprar - por favor, compruebe siempre la compatibilidad con el fabricante antes de comprar este módulo dram5v - las memorias kingston están testeadas al 100% - han sido diseñadas y comprobadas con arreglo a las normas jedec, y le permitirá comprar memoria de acuerdo con las especificaciones
-
06 ghz, 1066 mhz caracteristicas: tipo de proceso: procesador intel core 2 duo e7600 frecuencia: 306 ghz fsb: 1066 mhz caché: 3 mb proceso: 45 nm frecuencia básica del procesador: 3,06 ghz caché: 3 mb l2 velocidad del bus: 1066 mhz fsb paridad fsb: no tdp: 65 w rango de voltaje vid: 03625v zócalos compatibles: lga775 envios solo por zoom cobro destino trabajamos con banesco, mercantil, perovincial, venezuela, bicentenario, bod, bancarire, bcfcpu intel core 2 duo e7600 3antes de ofertar aclare toda sus dudas
Girardot-Aragua (Aragua)
-
Memoria ram marca corsair storage capacity: 6 gb (3 x 2 gb) upgrade type: generic technology: ddr3 sdram form factor: dimm 240-pin memory speed: mhz (pc) latency timings: cl) features: intel extreme memory profiles (xmp 165 v manufacturer warranty: limited lifetime warranty2), aluminum heatsink, dual-path heat xchange (dhx) supply voltage: 1
-
Ojo precio 25 verdes memoria ram marca corsair storage capacity: 6 gb (3 x 2 gb) upgrade type: generic technology: ddr3 sdram form factor: dimm 240-pin memory speed: mhz (pc) latency timings: cl) features: intel extreme memory profiles (xmp 165 v manufacturer warranty: limited lifetime warranty 25 verdes2), aluminum heatsink, dual-path heat xchange (dhx) supply voltage: 1
-
Memoria ram hynix 4gb u mhz perfecto estado 100% operativa **20 trumps o bsel equivalente el dia del pago** no soy tienda transferencias banesco - venezuela - bicentenario - bnc entregas personas en caracas previo acuerdo luego de ofertar tendra 3 para concretar la compra luego de ofertar sino será calificado negativoenvios cobro en destino bajo responsabilidad del comprador por zoom
-
Marca intel modelo dual core e (slgth) zócalo lga775 velocidad interna 3 ghz velocidad externa (fsb) 800 mhz caché nivel 2 (l2) 2 mb arquitectura 45 nm otras características - normativa ce - soporta arquitectura intel 64 bit, intel intelligent power capability, intel smart cache technology, tecnología intel ® de virtualización (vt-x) - microprocesador en caja, incluye ventiladorla combinación de velocidades de procesamiento general con características de ahorro de energía, le permiten hacer más cosas en menos tiempodual core eghz, 2 mb cache, lga w los ordenadores de sobremesa con el procesador intel® core™ 2 ofrecen un rendimiento más rápido, una mayor eficiencia energética, y mayor rendimiento multitarea mediante la combinación de dos núcleos de procesador independientes en un solo paquete, por lo que su empresa puede ser más productiva
-
Laptop general • memory specification compliance: pc3l- • memory speed: mhz • data integrity check: non-ecc • upgrade type: generic • manufacturer: samsung technical data: m471beb0-yk0 memory • form factor: so-dimm 204-pin • latency timings: cl) • module height (inch): 118 • technology: ddr3l sdram • storage capacity: 4 gb • registered or buffered: unbuffered • data integrity check: non-ecc • module configuration: 512 x 64 • chips organization: 512 x 8 • memory speed: mhz • memory specification compliance: pc3l- • supply voltage: v • cas latency: cl11 • latency timings: • ram features: low voltage, on-die termination (odt), serial presence detect (spd), eight banks, single rank • upgrade type: generic18 • data integrity check: non-ecc • chips organization: 512 x 8 ram • type: dram • form factor: so-dimm 204-pin • module height (inch): 1****ref# 40**** memoria samsung 4gb pcs drrmhz so-dimm, clv
-
Información general tipo cpu / microprocesador market segment mobile family amd phenom ii triple-core mobile numero del modelo p820 cpu part number hmp820sgr32gm is an oem/tray microprocessor stepping code aadhc ad frequencia ? mhz bus speed ? one mhz 16-bit hypertransport link (35g (by specifications) introduction date may end-of-life date last order date is 3rd quarter last shipment date is 1st quarter architecture / microarchitecture microarchitecture k10 platform danube processor core ? champlain core stepping ? bl-c3 cpuid 100f53 manufacturing process micron silicon-on-insulator (soi) technology data width 64 bit the number of cpu cores 3 the number of threads 3 floating point unit integrated, 128-bit wide level 1 cache size ? 3 x 64 kb 2-way set associative instruction caches 3 x 64 kb 2-way set associative data caches level 2 cache size ? 3 x 512 kb 16-way set associative caches level 3 cache size none cache latency [1] 3 (l1 cache) 15 (l2 cache) multiprocessing uniprocessor features mmx instructions extensions to mmx 3dnow! technology extensions to 3dnow! sse / streaming simd extensions sse2 / streaming simd extensions 2 sse3 / streaming simd extensions 3 sse4a ? amd64 / amd 64-bit technology ? evp / enhanced virus protection ? amd-v / amd virtualization technology low power features powernow! integrated peripherals / components integrated graphics none memory controller the number of controllers: 1 memory channels: 2 supported memory: ddr, ddr3l- maximum memory bandwidth (gb/s): 170 electrical / thermal parameters thermal design power ? 25 watt notes on amd phenom ii p820 usado pero esta funcional al 100% haga todas las preguntas necesarias recuerde que su oferta es un compromiso 3 dias para concretar acepto transferencias o depositos a mercantil y venezuela se realizan envios a todo el pais los gastos del envio corren a cuenta del comprador 1 mes de garantia somos tienda fisica en el centro de la ciudad1 other peripherals hypertransport technology 36 gt/s) clock multiplier ? 9 package 638-pin lidless organic micro pin grid array (uol638) amd package number socket socket s1 (s1g4) size 1
-
Especificaciones: marca: dell (en blister sellada) tecnologia: ddr3l- mhz velocidad: pcu capacidad: 1x4gb rank: 2rx4 voltage: 135v cas latencia: cl11 correccion de errores: non-ecc garantia: 90 dias
-
5v compatibilidad: memorias para laptop con mhz su paquete viajara siempre aseguradomemorias ram para laptop ddr3 2gb crucial crucial 4gb kit 2 x 2gb ddr mhz pc3l- maxima garantia (damos garantia de 06 meses - únicos en el mercado) compatible con laptops /minilaptops / notebooks /all in one laptops (hp, samsung, dell, acer, compaq, toshiba, gateway, vaio, sony) características: fabricante: crucial número de pieza: ctbf160b capacidad: 02gb x 02 modulos = 04 gb tipo: 204-pin sodimm velocidad: ddr3l pc3l- • unbuffered • non-ecc • ddr3l- latencia caché: cl11 voltage: +1tenemos personal de entrega para la zona de puerto ordaz / edosu compra contendra: 02 módulos de memoria crucial ddr3 2gb mhz, en empaque antiestico garantia 06 meses / damos factura fiscal con todas las disposiciones de la ley trabajamos con agentes de retencióngarantía: garantía por 06 meses
-
5 v latencia probada: velocidad probada: mhz voltaje: 1****ref# 80*** memoria kingston 8 gb sodimm ddr3 pc mhz cl11 marca: kingston series: cl11 peso del producto: 13,6 g dimensiones del producto: 6,8 x 3 x 0,8 cm número de modelo del producto: kvr16s11/8 memoria índice velocidad: pcmhz) tamaño: 8 gb (1x 8gb) velocidad: mhz tipo: ddr3l formato paquete: sodimm pines paquete: 204-pin altura módulo: 30 mm velocidad latencia de spd: velocidad de spd: mhz voltaje de spd: 1
-
000 nombre estándar velocidad del reloj tiempo entre señales velocidad del reloj de entrada/salida datos transferidos por segundo nombre del módulo máxima capacidad de transferencia ddr mhz 7,5 ns 533 mhz millones pc mb /s ddr mhz 6,7 ns 600 mhz millones pc mb/s ddr mhz 6 ns mhz millones pc mb/s ddr mhz 5,9 ns 688 mhz millones pc mb/s ddr mhz 5,5 ns 733 mhz millones pc mb/s ddr mhz 5 ns 800 mhz millones pc mb/s ddr mhz 4,3 ns 933 mhz millones pc mb/s ddr mhz 4 ns mhz millones pc mb/s ddr mhz 3,3 ns mhz millones pc mb/s caracteristicas: specifications manufacturer hynix part number hmt351u6efr8c-pb / pcu--b1 range - type 240 pin ddr3 capacity 4gb configuration single 4gb module speed mhz, pc timings clmhz buffering unbuffered, no address/control inputs or dqmb inputs error detection non-ecc, no address/control inputs or dqmb inputs pin / connector material gold voltage 11 memoria ddr3 hynix de 4gb pc mhz ciento veinte5v heatsinks no cooling fan no for use in amd cpu desktop/tower pc yes intel cpu desktop/tower pc yes tenemos oficina en boleita,trabajamos con transferecias banesco o provincial o deposito bancario ((si no tiene alguno de los bancos para transferir, tenemos una agencia bancaria banesco en planta baja)) y tenemos punto de venta garantía: se prueba antes de despacharla frente al cliente
-
5v solo para tarjetas madre que soporten mhz de bus >>>> ampliamente compatible con tarjetas madre amd e intel _________________________________________________________________ >>>>compugate center ccompugate center ca - tienda física en maracay _________________________________________________________________ producto: memoria ram para pc de 4 gb ddr3 pcu ********************* precio 22$ **************************** ***preguntar disponibilidad de marcas (hynix-samsung-micron-crucial-kingston y yongxinsheng)*** _______________________________________________________________________ especificaciones: >capacidad: 4 gb (1 x 4gb) >bus tipo: pcu >modulo tipo: memoria de pc de escritorio >velocidad: ddrmhz >formato: dimm >voltaje: 1>todos nuestros productos cuentan con garantía>todos nuestros precios incluyen ivaconsulte por la misma antes de ofertar >para envíos a nivel nacional trabajamos con: zoom, domesa y tealcaa - somos tienda física en maracay horarios de atencion: 8:00am a pm y de 1:00 pm a 5:00 pm _________________________________________________________________ >bancos aliados: banesco/ provincial/ mercantil/ bnc/ bod >emitimos factura fiscal
-
8us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • on-dimm thermal sensor (grade b) • average refresh period 7kvr13lr9s8/4 4gb 1rxm x 72-bit pc3l- cl9 registered w/parity 240-pin dimm features • jedec standard 15v (v ~ v) power supply • vddq = 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm), double sided component no oferte si no esta seguro memoria totalmente nueva!!!! haga todas las preguntas necesarias!!!!
-
Modelo: kvr13lr9s8/4 4gb 1rxm x 72-bit pc3l- cl9 registered w/parity 240-pin dimm features • jedec standard 18us at lower than tcase 85°c, 35v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • on-dimm thermal sensor (grade b) • average refresh period 75v (v ~ v) power supply • vddq = 19us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm), double sided component no oferte si no esta seguro memoria totalmente nueva!!!! haga todas las preguntas necesarias!!!!
-
Memoria samsung 4gb pcr ddr ecc para servidor poco uso en perfecto estado y funcionamiento se saco de un servidor ya que se le colocaron modulos de 8gb manufacturer: samsung part number: m393bdh0-ck0 component density: 4gb product bus type: pcr component speed: ddr registered / unbuffered / load reduced: registered error correction code (ecc): yes component rank: 2rx8 cas latency: cl11 pin count: 240-pin voltage: 15v module type: server memory (not for desktops) manufacturer: samsung part number: m393bdh0-ck0
-
Memoria samsung 4gb pcr ddr ecc para servidor poco uso en perfecto estado y funcionamiento manufacturer: samsung part number: m393bdh0-ck0 component density: 4gb product bus type: pcr component speed: ddr registered / unbuffered / load reduced: registered error correction code (ecc): yes component rank: 2rx8 cas latency: cl11 pin count: 240-pin voltage: 15v realice todas sus preguntas necesarias para continuar con la compra
-
Manufacturer: sk hynix part number: hmt42gr7bfr4c-pb component density: 16gb product bus type: pcr component speed: ddr module signal type: registered error correction code (ecc): yes component rank: 2rx4 cas latency: cl11 pin count: 240-pin voltage: 15v **** importante, haga todas las preguntas necesarias antes de ofertar, evite calificaciones negativas y malos entendidos ****memoria usada para servidores hp proliant dl385p gen8 o similar
-
5 x 2 x 8 in rank: 2rx4 cas latency: cl11 height: std voltage: 15v speed: pcr error correction code: ecc technology: ddr form factor: rdimm 3 unidades disponibles 50$ cada una advertencia: son módulos registrados ecc, son solo para servidores y no para equipos de escritorios normalesmódulo de memoria samsung 16gb 2rx4 pcr ddr3 reg ecc m393b2g70bh0-ck0 para servidores dell, hp proliant, lenovo apple mac pro early peso: 01 lbs dimensions: 0
