Transistor bipolar mosfet
Listado transistor bipolar mosfet
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30f124 gt30f124 transistor bipolar mosfet 300v igbt to-220 somos tienda fisica, vendemos productos de calidadluego de ofertar te llegara la informacion automaticamente por mensajeria para concretar
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De maracay * * empresa legalmente constituida * * tenemos punto de venta * ______________________________________________ transistor audio mosfet irfbv 100w original **componente original marca international rectifier**aragua sector centro * somos tienda física en cinversiones cyber center c
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De maracay * * empresa legalmente constituida * * tenemos punto de venta * ______________________________________________ transistor audio mosfet irfb4020 4020 200v 100w original **componente original marca international rectifier**aragua sector centro * somos tienda física en cinversiones cyber center 2000 c
Girardot-Aragua (Aragua)
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De maracay * * empresa legalmente constituida * * tenemos punto de venta * ______________________________________________ transistor power mosfet irfbv 130a originalaragua sector centro * somos tienda física en cinversiones cyber center c
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mosfet mrf-151g el componente esta totalmente nuevotransistor utilizado en equipos de amplificación de radio y televisiónpor favor pregunte cualquier duda y con gusto le responderemosno somos tienda fisicael envío corre por cuenta del cliente y se puede hacer a través de la empresa de envío seleccionada por el comprador y con sede en nuestra ciudadpodemos probar el componente si asi lo desea al realizar la compra
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18ohm * potencia de disipación:125w * transistor case style:to-220ab * svhc:no svhc * tipo de caja:to-220ab * cont current id:18a * junction to case thermal resistance a:1?c/w * power dissipation pd:125w * pulse current idm:72a * tipo de terminación:agujero pasante * tipo de transistor:mosfet * typ voltage vds:200v * typ voltage vgs th:4v * voltage vgs rds on measurement:10v ***su compra es un compromiso para nosotroscuenta con 2 días hábiles para concretar la compra de los contrario se cerrara la venta y será calificado neutro o negativo según sea el caso* mosfet, n, 200v, 18a, to-220 * polaridad del transistor:n * max voltage vds:200v * resistencia activada:0la mercancía viaja a riesgo y cuenta del cliente sin embargo realizamos todas las gestiones necesarias para solventar cualquier situación con la empresa de encomiendas que usted haya seleccionado***enviamos por la empresa de encomiendas de su preferencia y debe notificarnos si desea que su envió viaje asegurado para que sea reembolsado el monto de la compra o el monto asegurado en caso de algún siniestro
Guacara (Carabobo)
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transistor mosfet blf278 nxp en 160 c/u pregunte precio antes de comprar los transistores nxp blf 278 mosfets estan diseniados para transmisores de fm o pallets de fm en aplicaciones de 875 a 108 mhz 160 lechu por c/u repare sus equipos transmisores con este transistor mosfet blf278 compatible con los transmisores: elettronica, elenos, rvr, bw broadcast, db eletronica, omb, quark electronics, vimesa, broadcast concepts, sopmac, yirecom, nicom y otros precio por unidad formule todas sus dudas con el sistema de preguntas de mercado libre antes de comprar pregunte precio antes de comprar condiciones del producto: nuevo
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mosfet transistor toshiba modelo 2sc solo tengo 4 no se vende por unidad solo los 4 mosfet totalmente nuevo son originales origen japan pregunte antes de ofertar el precio es por los 4 transistores
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Hf/vhf power mos transistor transistor blf177 rf mosfet rf hf/vhf power mos 150w
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"somos importadores directos" pnp power transistors, toshiba bipolar transistors, toshiba specifications attribute value transistor type pnp maximum dc collector current 15 a maximum collector emitter voltage 230 v package type to-3pl mounting type through hole maximum power dissipation 150 w minimum dc current gain 35 transistor configuration single maximum collector base voltage -230 v maximum emitter base voltage -5 v maximum operating frequency 30 mhz pin count 3 number of elements per chip 1 width 5recuerde que ofertar es un compromiso de compraevite ser calificado como negativo5mm dimensions 202 x 26mm height 26mm maximum operating temperature +150 °c maximum collector emitter saturation voltage -3 v ojo: oferte solo si está seguro que va a realizar el pedidotiene 1 día para concretar su compra para garantizar precio, en caso de no concretar la compra la misma se cancelara y se le calificara negativo
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6 a dp - disipación de potencia: 625 mw tipo de producto: bjts - bipolar transistors subcategoría: transistors peso de la unidad: 201 mg tienda virtual si esta publicado, esta disponibletransistor ksp a un americano por 03 unidades por favor no oferte, si no esta seguro de comprar no oferte, si no va a concretar no oferte sin antes aclarar sus dudas por favor6 a producto para ganar ancho de banda ft: 300 mhz temperatura de trabajo mínima: - 55 c temperatura de trabajo máxima: + 150 c serie: ksp altura: 458 mm longitud: 4trabajamos con transferencias a los bancos venezuela banesco bnc86 mm corriente continua del colector: 0voltaje vceo colector-emisor: 40 v tensión vcbo colector-base: 75 v voltaje vebo emisor-base: 6 v corriente cc máxima de colector: 0consulte cualquier duda, precio y cantidadespecificaciones polaridad del transistor: npn configuración: single máx
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Nuevos transistor de potencia hexfet power mosfet irfp150n international rectifier vdss= 100v rds(on)= w id= 42a encapsulado to-247ac datasheet: http://pdf1es/datasheet-pdf/view//irf/irfp150nentrega/envío una vez verificado el pagohtml -------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- depositos y transferencias en banesco, provincial y mercantilenvios corren por cuenta y a riesgo del cliente
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Apmn transistor mosfet para tarjetas madre, tenemos gran variedad de repuestos, filtros, mosfets, bios, chips audio, video, red, pregunte por lo que necesitagarantía: 3 meses
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Irfp264n irfp264 transistor mosfet 250v 44acomponente electrónico no tiene garantia
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De maracay * * empresa legalmente constituida * * tenemos punto de venta * ______________________________________________ fqp13n50 transistor mosfet 13nv 12a **componente original fairchild semiconductor**aragua sector centro * somos tienda física en cinversiones cyber center c
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De maracay * * empresa legalmente constituida * * tenemos punto de venta * ______________________________________________ mosfet transistor 2sk386 toshiba original to-3pl **componente original toshiba**aragua sector centro * somos tienda física en cinversiones cyber center c
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Número de parte: irfz44n tipo de fet: mosfet polaridad de transistor: n ============ especificaciones máximas disipación total del dispositivo (pd): 83 w tensión drenaje-fuente (vds): 55 v tensión compuerta-fuente (vgs): 10 v corriente continua de drenaje (id): 41 a temperatura operativa máxima (tj): 150 °c ============ características eléctricas tensión umbral compuerta-fuente vgs(th): 4 v carga de compuerta (qg): 62 nc resistencia drenaje-fuente rds(on): ohm empaquetado / estuche: to220ab
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"somos importadores directos" characteristics of the 2sb688 bipolar transistor type - p-n-p collector-emitter voltage: -120 v collector-base voltage: -120 v emitter-base voltage: -5 v collector current: -8 a collector dissipation - 80 w dc current gain (hfe) - 55 to 160 transition frequency - 12 mhz operating and storage junction temperature range -55 to +150 °c package - to-3p ojo: oferte solo si está seguro que va a realizar el pedidorecuerde que ofertar es un compromiso de compraevite ser calificado como negativotiene 1 día para concretar su compra para garantizar precio, en caso de no concretar la compra la misma se cancelara y se le calificara negativo
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El transistor de potencia bipolar darlington está diseñado para amplificadores de uso general y aplicaciones de conmutación de baja velocidad0 adc voltaje de sostenimiento colector-emisor @ 100 ma vceo (sus) = 60 vdc (min) tip120, tip125 vceo (sus) = 80 vdc (min) tip121, tip126 vceo (sus) = 100 vdc (min) tip122, tip127 bajo voltaje de saturación colector-emisor vce (sat) = 20 vdc (max) @ ic = 5caracteristicas: alta ganancia de corriente cc - hfe = (típico) @ ic = 40 vdc (max) @ ic = 3
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El transistor bipolar 8el transistor mos 9teoría y tecnología de dispositivos semiconductoresotros dispositivos semiconductores 10el condensador, la bobina y el transformador 6conceptos básicos 2circuitos y dispositivos electrónicos lluís prat viñas indice 1circuitos con diodos 7circuitos resistivos 4fuentes dependientes 5
