Transistor mosfet blf278 nxp

Listado transistor mosfet blf278 nxp

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  • 18ohm * potencia de disipación:125w * transistor case style:to-220ab * svhc:no svhc * tipo de caja:to-220ab * cont current id:18a * junction to case thermal resistance a:1?c/w * power dissipation pd:125w * pulse current idm:72a * tipo de terminación:agujero pasante * tipo de transistor:mosfet * typ voltage vds:200v * typ voltage vgs th:4v * voltage vgs rds on measurement:10v ***su compra es un compromiso para nosotrosenviamos por la empresa de encomiendas de su preferencia y debe notificarnos si desea que su envió viaje asegurado para que sea reembolsado el monto de la compra o el monto asegurado en caso de algún siniestro* mosfet, n, 200v, 18a, to-220 * polaridad del transistor:n * max voltage vds:200v * resistencia activada:0la mercancía viaja a riesgo y cuenta del cliente sin embargo realizamos todas las gestiones necesarias para solventar cualquier situación con la empresa de encomiendas que usted haya seleccionado***cuenta con 2 días hábiles para concretar la compra de los contrario se cerrara la venta y será calificado neutro o negativo según sea el caso

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  • Número de parte: irfz44n tipo de fet: mosfet polaridad de transistor: n ============ especificaciones máximas disipación total del dispositivo (pd): 83 w tensión drenaje-fuente (vds): 55 v tensión compuerta-fuente (vgs): 10 v corriente continua de drenaje (id): 41 a temperatura operativa máxima (tj): 150 °c ============ características eléctricas tensión umbral compuerta-fuente vgs(th): 4 v carga de compuerta (qg): 62 nc resistencia drenaje-fuente rds(on): ohm empaquetado / estuche: to220ab

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    Girardot-Aragua (Aragua)

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  • Fqp19nv n-channel mosfet número de parte: fqp19n20 tipo de fet: mosfet polaridad de transistor: n especificaciones máximas disipación total del dispositivo (pd): 140 w tensión drenaje-fuente (vds): 200 v tensión compuerta-fuente (vgs): 30 v corriente continua de drenaje (id): 1915 ohm empaquetado / estuche: to2204 a temperatura operativa máxima (tj): 150 °c características eléctricas tensión umbral compuerta-fuente vgs(th): 5 v carga de compuerta (qg): 31 nc resistencia drenaje-fuente rds(on): 0

  • Fqp19n20 200v n-channel mosfet número de parte: fqp19n20 tipo de fet: mosfet polaridad de transistor: n especificaciones máximas disipación total del dispositivo (pd): 140 w tensión drenaje-fuente (vds): 200 v tensión compuerta-fuente (vgs): 30 v corriente continua de drenaje (id): 1915 ohm empaquetado / estuche: to2204 a temperatura operativa máxima (tj): 150 °c características eléctricas tensión umbral compuerta-fuente vgs(th): 5 v carga de compuerta (qg): 31 nc resistencia drenaje-fuente rds(on): 0

    Barquisimeto (Lara)

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