Zq
Listado zq
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Valencia (Carabobo)
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5v (v ~ v) • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia de cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 7) actualizar a active / refrescar 260ns (min8us a menor que tcase 85 ° c, 35v (v ~ v) fuente de alimentación • vddq = 19us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm) o mm) soy tienda on-line) tiempo de comando (trfcmin) tiempo activo de fila (trasmin) 36ns (minstop solo oferte si esta 100% seguro realice todas sus preguntas evite calificaciones negativas puedo realizar entregas personales por previa cita deben llamar para acordar el día y la hora sin excepcion agencia de envio mrw y domesa días de envíos: martes, miercoles y jueves horario de atención lunes a viernes 9:00am a am y 2:00pm a 5:00pm formas de pagos transferencias o depositos banco venezuela mercado pago garantía: garantía 60 díasmemoria ram 4gb kvr13n9s8 1rxm x 64-bit pc cl-pin dimm kingston para pc especificaciones: cl (idd) 9 ciclos tiempo de ciclo de fila (trcmin) ns (min) potencia máxima de operación tbd w * las especificaciones eléctricas y mecánicas jedec estándar 1
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Organizador electrónico- sharp zq 156-mc 64k memoria nuevo de paquete, nunca usadopreguntar antes de ofertar, estoy a la orden para cualquier inquietud
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5v (v ~ v) • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia de cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o señora] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 7) actualizar a active / refrescar 260ns (mincaracteristicas • fuente de alimentación estándar jedec 15v (v ~ v) • vddq = 1cada dimm de 240 pines utiliza dedos de contacto de orola capacidad total del kit es de 8 gb8us a menor que tcase 85 ° c, 39us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm), componente de un solo lado nuevas selladas en su blister metodos de pago transferencia deposito envios a nivel nacional y regional solo por domesa debera abonar 700bs por gastos de flete) ddr cl-pin dimm kit descripción: hyperx khxc9d3b1k2 / 8g es un kit de dos módulos de 512m x 64 bits (4 gb) ddr cl9 sdram (dram síncrona), 1rx8 módulos de memoria, basados en ocho componentes fbga de 512m x 8 bits por módulolos spd son programado a la latencia estándar jedec ddr a 1se realizan entregas personales en el paraiso oferta limitada pregunte con confianza! haga todas las preguntas convenientes antes de comprar, su preguntas seran respondida con la mayor brevedad posible evite una mala calificacionmemoria kingston hyperx blu kit 8gb 2x4gb khxc9d3b1k2 / 8g 8gb (4gb 512m x 64-bit x 2 pcd página 1 presupuesto cl (idd) 9 ciclos tiempo de ciclo de fila (trcmin) 49) potencia de funcionamiento máxima w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55o c a +100o c * la potencia variará dependiendo de la sdram utilizadalas especificaciones eléctricas y mecánicas de jedec son siguiente: document norecuerde que de no depositar el monto del embalaje no le sera despachado el producto) tiempo de comando (trfcmin) tiempo activo de fila (trasmin) 36ns (min
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5v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • on-dimm thermal sensor (grade b) • average refresh period 75v (v ~ v) power supply • vddq = 18us at lower than tcase 85°c, 39us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm), double sided component no oferte si no esta seguro memoria totalmente nueva!!!! haga todas las preguntas necesarias!!!!kvr13lr9s8/4 4gb 1rxm x 72-bit pc3l- cl9 registered w/parity 240-pin dimm features • jedec standard 1
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5v ± v • vddq = 1,5v ± v • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia programable de cas: • publicado cas • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalado sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o mrs] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): calibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz utilizando odt pin • período de actualización promedio 78us a menor que tcase 85 ° c, 3este sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto de oro y requiere + 1,5veste documento describe valueram 128m x 64-bit (1 gb) memoria ddrmhz cl9 sdram (memoria dram síncrona), basado en ocho 128m x 8-bit ddrmhz fbga componentes• fuente de alimentación estándar jedec 1el spd está programado según el estándar jedec latencia mhz tiempo de 9-9-9 a 1
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5v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • average refresh period 78us at lower than tcase 85°c, 39us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm) or mm)kvr13n9s8/4 4gb 1rxm x 64-bit pc cl-pin dim features • jedec standard 15v (v ~v) power supply • vddq = 1
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5v (v ~ v) • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia de cas programable: • latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-extracción de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección de inicio "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o señora] • strobe de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (self): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación de la matriz con pin odt • período de actualización promedio 7) actualizar a active / refrescar 260ns (mincaracteristicas • fuente de alimentación estándar jedec 15v (v ~ v) • vddq = 1cada dimm de 240 pines utiliza dedos de contacto de orola capacidad total del kit es de 8 gb8us a menor que tcase 85 ° c, 3) ddr cl-pin dimm kit descripción: hyperx khxc9d3b1k2 / 8g es un kit de dos módulos de 512m x 64 bits (4 gb) ddr cl9 sdram (dram síncrona), 1rx8 módulos de memoria, basados en ocho componentes fbga de 512m x 8 bits por módulolos spd son programado a la latencia estándar jedec ddr a 19us a 85 ° c • restablecimiento asíncrono • pcb: altura mm), componente de un solo lado nuevas selladas en su blister metodos de pago transferencia deposito envios a nivel nacional y regional solo por domesa debera abonar bs por gastos de embalajememoria kingston hyperx blu kit 8gb 2x4gb khxc9d3b1k2 / 8g 8gb (4gb 512m x 64-bit x 2 pcd página 1 presupuesto cl (idd) 9 ciclos tiempo de ciclo de fila (trcmin) 49) potencia de funcionamiento máxima w * clasificación ul 94 v - 0 temperatura de funcionamiento 0 ° c a 85 ° c temperatura de almacenamiento -55o c a +100o c * la potencia variará dependiendo de la sdram utilizadalas especificaciones eléctricas y mecánicas de jedec son siguiente: document no se realizan entregas personales en el paraiso oferta limitada pregunte con confianza! haga todas las preguntas convenientes antes de comprar, su preguntas seran respondida con la mayor brevedad posible evite una mala calificacionrecuerde que de no depositar el monto del embalaje no le sera despachado el producto) tiempo de comando (trfcmin) tiempo activo de fila (trasmin) 36ns (min
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5v mhz fck para mb / sec / pin 8 banco interno independiente latencia de cas programable: latencia del aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 pre-extracción de 8 bits longitud de la ráfaga: 8 (interleave sin límite, secuencial con dirección inicial "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir la lectura o escritura sin problemas [ya sea con a12 o señora] datos diferenciales bidireccionales strobe calibración interna (self): calibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) terminación de la matriz con pin odt periodo de actualización promedio 7este módulo ha sido probado para funcionar en ddr3l- en un tiempo de latencia bajo de a 1adicional los parámetros de temporización se muestran en los parámetros de sincronización pnp caracteristicas jedec estándar 18us a una temperatura inferior a tcase 85 ° c, 3hx321ls11ib2/4 4gb 512m x 64-bit ddr3l- cl-pin sodimm descripción hyperx hx321ls11ib2 / 4 es un 512m x 64-bit (4gb) ddr3l- cl11 sdram (dram síncrona) 1rx8, baja tensión, memoria módulos, basados en ocho módulos ddr3 fbga de 512m x 8 bits
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5v (v ~ v) • 667mhz fck for mb/sec/pin • 8 independent internal bank • programmable cas latency: • programmable additive latency: 0, cl - 2, or cl - 1 clock • programmable cas write latency(cwl) = 7 (ddr-bit pre-fetch • burst length: 8 (interleave without any limit, sequential with starting address “000” only), 4 with tccd = 4 which does not allow seamless read or write [either on the fly using a12 or mrs] • bi-directional differential data strobe • internal(self) calibration: internal self calibration through zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • on die termination using odt pin • on-dimm thermal sensor (grade b) • average refresh period 75v (v ~ v) power supply • vddq = 18us at lower than tcase 85°c, 39us at 85°c • asynchronous reset • pcb: height mm), double sided component no oferte si no esta seguro memoria totalmente nueva!!!! haga todas las preguntas necesarias!!!!modelo: kvr13lr9s8/4 4gb 1rxm x 72-bit pc3l- cl9 registered w/parity 240-pin dimm features • jedec standard 1
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5v (v ~ v) • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 banco interno independiente • latencia programable de cas: • latencia aditiva programable: 0, cl - 2 o cl - 1 reloj • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-captura de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalación sin límite, secuencial con dirección de inicio “000” solamente), 4 con tccd = 4 que no permite leer o escribir sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o señora] • datos estroboscópicos diferenciales bidireccionales • calibración interna (auto): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación del troquel usando el pin odt • período de actualización promedio 7latencia ddr tiempo de 9-9-9 a 1este dimm de 240 pines utiliza dedos de contacto dorados9us a 85 ° c somos tienda física - puedes retirar personalmente somos mercado lideres damos factura bancos con los que trabajamos: banesco provincial venezuela mercantil bancaribe tesoro banco plaza hacemos envíos a todo el país por zoom tealca domesa mrw5v (v ~ v) fuente de alimentación • vddq = 18us por debajo de tcase 85 ° c, 3las especificaciones son las siguientes: caracteristicas • jedec estándar 1la eléctrica y mecánicamemoria ram ddr3 4g kingston mhz 3 meses garantía totalmente nueva kvrd3n9/4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm 512m x 64 bits (4gb) de valueram ddr cl9 sdram (dram síncrona), memoria 2rx8 módulo, basado en dieciséis fbga ddr de 256m x 8 bits componentes el spd está programado al estándar jedec
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5v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia programable de cas: • latencia de aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 reloj • prebúsqueda de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección inicial "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir lectura o escritura sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando a12 • luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (auto): auto calibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%) • en la terminación del troquel utilizando un pin odt • periodo promedio de actualización 75v (v ~ v) fuente de alimentación • vddq = 1memoria ram ddr3 8g kingston laptop laptop 8gb pc cl11 3 meses garantía totalmente nueva descripción valueram's 1g x 64-bit (8gb) ddr3l- cl11 sdram (dram síncrona), 2rx8, baja voltaje, módulo de memoria, basado en dieciséis fbga de 512m x 8 bits componentes8us a menos de tcase 85 ° c, 3este sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto doradosel eléctrico y las especificaciones mecánicas son las siguientes: caracteristicas • estándar jedec 1el spd está programado según el estándar jedec latencia ddr sincronización de a 1
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5v (v ~ v) • 800mhz fck para mb / seg / pin • 8 bancos internos independientes • latencia programable de cas: • latencia de aditivo programable: 0, cl - 2 o cl - 1 reloj • prebúsqueda de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalar sin límite, secuencial con dirección inicial "000" solamente), 4 con tccd = 4 que no permitir lectura o escritura sin interrupciones [ya sea sobre la marcha usando a12 • luz estroboscópica de datos diferenciales bidireccionales • calibración interna (auto): auto calibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohmios ± 1%) • en la terminación del troquel utilizando un pin odt • periodo promedio de actualización 75v (v ~ v) fuente de alimentación • vddq = 19us a 85 ° c somos tienda física - puedes retirar personalmente horario de atencion de 9:00am a 5:00pm de lunes a sabado estamos en sabana grande somos mercado lideres damos factura - tenemos punto de venta bancos con los que trabajamos: -banesco -provincial -venezuela -mercantil -bancaribe -banco plaza $ cash zelle paypal hacemos envíos a todo el país por: -zoom -tealca -domesa -mrwmemoria ram ddr3 8g kingston laptop laptop 8gb pc cl11 3 meses garantía totalmente nueva descripción valueram's 1g x 64-bit (8gb) ddr3l- cl11 sdram (dram síncrona), 2rx8, baja voltaje, módulo de memoria, basado en dieciséis fbga de 512m x 8 bits componentes8us a menos de tcase 85 ° c, 3este sodimm de 204 pines utiliza dedos de contacto doradosel eléctrico y las especificaciones mecánicas son las siguientes: caracteristicas • estándar jedec 1el spd está programado según el estándar jedec latencia ddr sincronización de a 1
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5v (v ~ v) • 667mhz fck para mb / seg / pin • 8 banco interno independiente • latencia programable de cas: • latencia aditiva programable: 0, cl - 2 o cl - 1 reloj • latencia programable de escritura cas (cwl) = 7 (ddr) • pre-captura de 8 bits • longitud de ráfaga: 8 (intercalación sin límite, secuencial con dirección de inicio “000” solamente), 4 con tccd = 4 que no permite leer o escribir sin problemas [ya sea sobre la marcha utilizando a12 o señora] • datos estroboscópicos diferenciales bidireccionales • calibración interna (auto): autocalibración interna a través de zq pin (rzq: 240 ohm ± 1%) • terminación del troquel usando el pin odt • período de actualización promedio 7latencia ddr tiempo de 9-9-9 a 1este dimm de 240 pines utiliza dedos de contacto dorados"""""""""""""""""""""""""""""atención importante""""""""""""""""""""" entregas solo en caracas con motorizado, bajo las estrictas normas sanitarias dictadas por el gobierno nacional y la oms (organización mundial de la salud) """"""""""""""""""""""""""""preguntar antes de ofertar""""""""""""""" memoria ram ddr3 4g kingston mhz 3 meses garantía totalmente nueva kvrd3n9/4g 4gb 2rxm x 64-bit pc cl-pin dimm 512m x 64 bits (4gb) de valueram ddr cl9 sdram (dram síncrona), memoria 2rx8 módulo, basado en dieciséis fbga ddr de 256m x 8 bits componentes el spd está programado al estándar jedec5v (v ~ v) fuente de alimentación • vddq = 18us por debajo de tcase 85 ° c, 3las especificaciones son las siguientes: caracteristicas • jedec estándar 19us a 85 ° c somos tienda física - puedes retirar personalmente horario de atención de 9:00 am a 5:00 pm de lunes a sábado estamos en sabana grande somos mercado lideres damos factura - tenemos punto de venta bancos con los que trabajamos: -banesco -provincial -venezuela -mercantil -bancaribe -banco plaza hacemos envíos a todo el país por: -zoom -tealca -domesa -mrw haga todas sus preguntas para despejar dudas estamos para ayudarle en su compra y darle la mejor asesoríala eléctrica y mecánica